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2SD1610	文件：32.509 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SB1109 and 2SB1110 文件：32.509 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1611	文件：64.2 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) Silicon NPN triple diffusion planar type darlington For power amplification ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • High collector-base voltage (Emitter open) VCBO • N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printed circuit board, etc. of small electr 文件：64.2 Kbytes 页数：2 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD1611	文件：271.68 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= 2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：271.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1611	文件：252.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= 2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：252.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1611	文件：43.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type Darlington Features ● High forward current transfer ratio hFE ● High collector-base voltage (Emitter open) VCBO 文件：43.33 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1611-251	文件：271.68 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= 2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：271.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1611-252	文件：252.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= 2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：252.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1614	文件：219.42 Kbytes Page：4 Pages	SILICON TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD 文件：219.42 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1614	文件：51.38 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High DC Current Gain:hFE 135 to 600. ● Low VCE(sat) ● Complementary to 2SB1114 文件：51.38 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1614	文件：214.91 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SD1614 is designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. 文件：214.91 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC

晶体管资料

型号：
2SD1615A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）_LO.SAT
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2881,2SC3646,2SD874A,2SD1418,2SD1419,2SD1898,3DK104E,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
120
htest：
80000100
atest：
1
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
60
IC @25 °C (A)：
1
VCE (sat) (V)：
0.3
hFE：
135-600
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.16
Cob (Typical) (pF)：
19

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更多2SD161供应商更新时间2025-12-24 14:00:00

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