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2SD1614	文件：692.27 Kbytes Page：3 Pages	NPN-Silicon General use Transistors NPN-Silicon General use Transistors 1W 、 1.5A、 25V Applications： Can be used for switching and amplifying in various electrical and electronic circuit. 文件：692.27 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1615	文件：721.4 Kbytes Page：1 Pages	World Standard Miniature Package Features World Standard Miniature Package. Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.15 V 文件：721.4 Kbytes 页数：1 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1615	文件：52.33 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● World Standard Miniature Package. ● Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.15 V 文件：52.33 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1615	文件：49.75 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • World Standard Miniature Package • Low VCE (sat) VCE(sat) = 0.15 V • Complement to 2SB1115, 2SD1115A 文件：49.75 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1615	文件：210.12 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION 2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • Low VCE (sat) VCE(sat) = 0.15 V • Complement to 2SB1115, 1115A 文件：210.12 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1615	文件：210.12 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION 2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • Low VCE (sat) VCE(sat) = 0.15 V • Complement to 2SB1115, 1115A 文件：210.12 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1615A	文件：210.12 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION 2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • Low VCE (sat) VCE(sat) = 0.15 V • Complement to 2SB1115, 1115A 文件：210.12 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1615A	文件：52.17 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● World Standard Miniature Package. ● Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.15 V 文件：52.17 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1615A	文件：49.75 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • World Standard Miniature Package • Low VCE (sat) VCE(sat) = 0.15 V • Complement to 2SB1115, 2SD1115A 文件：49.75 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1616	文件：156.68 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION The 2SD1616/2SD1616A are designed for use in driver and output stages of AF amplifier, general purpose application. 文件：156.68 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC

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晶体管资料

型号：
2SD1615A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）_LO.SAT
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2881,2SC3646,2SD874A,2SD1418,2SD1419,2SD1898,3DK104E,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
120
htest：
80000100
atest：
1
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
60
IC @25 °C (A)：
1
VCE (sat) (V)：
0.3
hFE：
135-600
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.16
Cob (Typical) (pF)：
19

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SD1615A	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-89	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多2SD161供应商更新时间2025-12-24 14:00:00

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