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2SD1620	文件：290.25 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor Features • Less power dissipation because of low VCE(sat), permitting more flashes of light to be emitted • Large current capacity and highly resistant to breakdown • Excellent linearity of hFE in the region from low current to high current • Ultrasmall size supports high-density, 文件：290.25 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1620	文件：75.83 Kbytes Page：3 Pages	1.5V,3V Strobe Applications 1.5V, 3V Strobe Applications Features • Less power dissipation because of low VCE(sat), permitting more flashes of light to be emitted. • Large current capacity and highly resistant to breakdown. • Excellent linearity of hFE in the region from low current to high current. • Ultrasmall 文件：75.83 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1620	文件：50.63 Kbytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features ● Less power dissipation because of low VCE(sat), permitting more flashes of light to be emitted. ● Large current capacity and highly resistant to breakdown. ● Excellent linearity of hFE in the region from low current to high current. ● Ultrasmall size supports high-density, u 文件：50.63 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1620	文件：91.4 Kbytes Page：4 Pages	1.5V, 3V Strobe Applications 文件：91.4 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1620	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，10V，3A，低 VCE (sat)，NPN 单 PCP 2SD1620 is Bipolar Transistor, 10V, 3A, Low VCE(sat), NPN Single PCP for 1.5V, 3V Strobe Applications. • Less power dissipation because of low VCE(sat), permitting more flashes of light to be emitted\n• Large current capacity and highly resistant to breakdown\n• Excellent linearity of hFE in the region from low current to high current\n• Ultrasmall size supports high-density, ultrasmall-sized hybrid ;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1620_10	文件：91.4 Kbytes Page：4 Pages	1.5V, 3V Strobe Applications 文件：91.4 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1620-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 10V 3A PCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SD1620
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_LO.SAT
封装形式：
特殊封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2982,2SD1119,2SD1624,2SD1963,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
30
htest：
200000000
atest：
3
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.4
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
10
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
hFE Min：
140
fT Min (MHz)：
200
PTM Max (W)：
0.5
Package Type：
SOT-89/PCP-1

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