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2SD1620中文资料双极晶体管,10V,3A,低 VCE (sat),NPN 单 PCP数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2SD1620

参数属性

2SD1620 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 10V 3A PCP

功能描述

双极晶体管,10V,3A,低 VCE (sat),NPN 单 PCP
TRANS NPN 10V 3A PCP

封装外壳

TO-243AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-29 10:50:00

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2SD1620规格书详情

描述 Description

2SD1620 is Bipolar Transistor, 10V, 3A, Low VCE(sat), NPN Single PCP for 1.5V, 3V Strobe Applications.

特性 Features

• Less power dissipation because of low VCE(sat), permitting more flashes of light to be emitted
• Large current capacity and highly resistant to breakdown
• Excellent linearity of hFE in the region from low current to high current
• Ultrasmall size supports high-density, ultrasmall-sized hybrid IC designs

简介

2SD1620属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SD1620晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SD1620

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.4

  • IC Cont. (A)

    :3

  • VCEO Min (V)

    :10

  • VCBO (V)

    :30

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :140

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :200

  • PTM Max (W)

    :0.5

  • Package Type

    :SOT-89/PCP-1

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