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2SD1663

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·High Collector-Base Breakdown Voltage-: V(BR)CBO= 1500V (Min.) ·High Switching Speed ·Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications.

文件:248.76 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1663

Power Transistor - Silicon NPN Triple-Diffused Junction Mesa Type - Power Switching

Panasonic

松下

2SD1664G-R

SOT-89

UTC/友顺

2SD1760TLQ

TO-252-2L

2SD1766

SOT89

GTM

勤益投资控股

上传:深圳市粤科源兴科技有限公司

晶体管资料

  • 型号:

    2SD1663

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    电视 (TV)_行输出 (HA)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    1.5KV

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BU508AF,BU708,2SC3894,2SD1055,2SD1655,2SD1656,

  • 最大耗散功率:

    80W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-45

  • vtest:

    1500

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    80

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更多2SD1663供应商 更新时间2025-12-24 14:13:00