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2SD1663	文件：248.76 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighCollector-BaseBreakdownVoltage-:V(BR)CBO=1500V(Min.) ·HighSwitchingSpeed ·WideAreaofSafeOperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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2SD1663

文件：248.76 Kbytes

Page：2 Pages

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·HighCollector-BaseBreakdownVoltage-:V(BR)CBO=1500V(Min.) ·HighSwitchingSpeed ·WideAreaofSafeOperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

晶体管资料

型号：
2SD1663
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
电视（TV）_行输出（HA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1.5KV
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU508AF,BU708,2SC3894,2SD1055,2SD1655,2SD1656,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
1500
htest：
999900
atest：
5
wtest：
80

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更多2SD1663供应商更新时间2024-5-16 16:00:00

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