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2SD1707	文件：93.37 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type For power switching Complementary to 2SB1156 ■Features •Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) •Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE •Large collector current IC •Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw 文件：93.37 Kbytes 页数：4 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD1707	文件：254.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO = 80V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Max.)@ IC= 8A ·Complement to Type 2SB1156 APPLICATIONS ·Designed for power switching applications 文件：254.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1707-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For low-freauency power amplification) For power switching Complementary to 2SB1156■ •Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)\n•Large collector current IC\n•Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw;	Panasonic 松下	Panasonic
2SD17070P	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN 50V 0.1A SMINI 3P	Panasonic 松下	Panasonic
2SD17070P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TOP-3F；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 20A TOP-3F	Panasonic 松下	Panasonic

晶体管资料

型号：
2SD1707
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
130V
最大电流允许值：
20A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD7453,BD249D,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
130
htest：
20000000
atest：
20
wtest：
100

详细参数

型号：
2SD1707
功能描述：
TRANS NPN 80VCEO 20A TOP-3F
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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