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2SD1714	文件：250.48 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 140V(Min.) • Good Linearity of hFE • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SB1159 APPLICATIONS • Designed for high power amplifier applications. 文件：250.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1760TLQ	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252-2L	ROHM 罗姆上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	ROHM
2SD1766	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	GTM 勤益投资控股上传：深圳市粤科源兴科技有限公司	GTM
2SD1782KT146Q	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-346	ROHM 罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM
2SD1782KT146R	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMT3	ROHM/罗姆上传：深圳广友电子有限公司	ROHM/罗姆

晶体管资料

型号：
2SD1714
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD245D,2SC2706,2SC2837,2SD1046,2SD1288,2SD2065,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
140
htest：
20000000
atest：
7
wtest：
80

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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