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2SD1714

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 140V(Min.) • Good Linearity of hFE • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SB1159 APPLICATIONS • Designed for high power amplifier applications.

文件:250.48 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1760TLQ

ROHM
TO-252-2L

2SD1766

GTM
SOT89

GTM

勤益投资控股

上传:深圳市粤科源兴科技有限公司

2SD1782KT146Q

ROHM
SOT-346

2SD1782KT146R

ROHM/罗姆
SMT3

ROHM/罗姆

上传:深圳广友电子有限公司

ROHM/罗姆

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更多2SD1714供应商 更新时间2025-10-8 16:01:00