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2SD1789	文件：130.09 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With ITO-220 package • Switching power transistor • DARLINGTON 文件：130.09 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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2SD1789	文件：224.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With ITO-220 package • Switching power transistor • DARLINGTON 文件：224.29 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
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2SD1789_2015	文件：84.84 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：84.84 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SD1789
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>1500
图片代号：
B-5
vtest：
200
htest：
50000000
atest：
4
wtest：
25

详细参数

型号：
2SD1789
功能描述：
达林顿晶体管 V=200 IC=5 HFE=1500
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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