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2SD186	文件：25.15 Kbytes Page：1 Pages	2SD186 文件：25.15 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD186	文件：300 bytes Page：1 Pages	2SD186	未知品牌
2SD1861	文件：251.43 Kbytes Page：7 Pages	Power Transistor Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in 4 k resistor between base and emitter. 3) Complements the 2SD1759/2SD1861/2SD947F. 文件：251.43 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1861	文件：48.61 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxial Planar NPN Silicon Darlington Transistors [ROHM] Features 1) Darlington connection provises high DC current gain (hFE). 2) Built-in resistance of approx. 4kΩ between its base and emitter. Excellent temprature stability. 文件：48.61 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1861	文件：72.03 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TV2；Package：ATV；Power transistor (40V, 2A) Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in 4kΩ resistor between base and emitter. 3) Complements the 2SB1183 / 2SB1239. 文件：72.03 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1862	文件：176.4 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.5V (Typ.)(IC/IB= 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：176.4 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1862	文件：107.46 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D1862；Package：ATV；Medium Power Transistor (32V, 2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.5V (Typ.)(IC/IB= 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：107.46 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1862	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D1862；Package：ATV；Medium Power Transistor (32V, 2A) FTR • FTL Low profile flat-package for limited spece applications. Tape type can be used on automated line. Bulk type is also available. 文件：124.57 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1863	文件：89.47 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D1863；Package：SPT/SC-72；Power Transistor (80V, 1A) ● Features 1) High VCEO, VCEO = 80V 2) High IC, IC = 1A (DC) 3) Good hFE linearity. 4) Low VCE(sat). 5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181. 文件：89.47 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1864	文件：77.01 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TV2；Package：ATV；Power Transistor 50V, 3A Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：77.01 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SD186
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC127,AC176,AC187,2N1302,2SD30,2SD72,3BX81B,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
C-47
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.15
wtest：
0.2

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
200
IC (A) @25 °C：
0.1
hFE min.：
60
hFE max.：
320
Pc (W)：
0.9
fT (GHz) typ.：
0.14
Package Type：
TO-92Mod
Production Status：
EOL

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