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2SD1864	文件：153.28 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：153.28 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1864	文件：147 Kbytes Page：4 Pages	丝印：QR；Package：ATV；Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：147 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1864	文件：77.01 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TV2；Package：ATV；Power Transistor 50V, 3A Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：77.01 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1864	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：81.97 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1864	文件：953.41 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package 文件：953.41 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SD1864	文件：176.72 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (50V, 3A) 文件：176.72 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1864	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
2SD1864TV2Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-SIP；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 3A ATV	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1864TV2R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-SIP；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 3A ATV	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SD1864
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
90MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3668,2SD794,2SD1347,2SD1507,2SD2177,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-70
vtest：
30
htest：
90000000
atest：
3
wtest：
1

详细参数

型号：
2SD1864
功能描述：
两极晶体管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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