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2SD1918

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SD1918

PowerTransistor(160V,1.5A)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

2SD1918

SiliconNPNEpitaxial

■Features ●Highbreakdownvoltage. ●Lowcollectoroutputcapacitance. ●Hightransitionfrequency ●Complementaryto2SB1275

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

2SD1918

PowerTransistor(160V,1.5A)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

2SD1918

POWERTRANSISTOR

EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

2SD1918

PowerTransistor(160V,1.5A)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

2SD1918-Q

NPNTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

2SD1918-R

NPNTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

2SD1918TLQ

PowerTransistor(160V,1.5A)

Features 1)Highbreakdownvoltage.(BVCEO=160V) 2)Lowcollectoroutputcapacitance.(Typ.20pFatVCB=10V) 3)Hightransitionfrequency.(fT=80MHZ) 4)Complementsthe2SB1275.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

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