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2SD1950	文件：255.27 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SD1950 is designed for general-purpose applications requiring High DC Current Gain. This is suitable for all kind of driving or muting. FEATURES ● High DC Current Gain and Good hFE linearity. hFE = 800 to 3 200 (VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A) ● Low Collector Saturation Voltage. 文件：255.27 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1950	文件：1.73326 Mbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The 2SD1950 is designed for general-purpose applications requiring High DC Current Gain. This is suitable for all kind of driving or muting. FEATURES ● High DC Current Gain and Good hFE linearity. hFE = 800 to 3 200 (VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A) ● Low Collector Saturation Voltage. 文件：1.73326 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1950	文件：51.08 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxia Features ● High dc current gain and good hFE. ● Low collector saturation voltage. ● High VEBO. 文件：51.08 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1950	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Bipolar Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.	Renesas 瑞萨	Renesas
2SD1950-T1-AZ	文件：1.73326 Mbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SD1950 is designed for general-purpose applications requiring High DC Current Gain. This is suitable for all kind of driving or muting. FEATURES ● High DC Current Gain and Good hFE linearity. hFE = 800 to 3 200 (VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A) ● Low Collector Saturation Voltage. 文件：1.73326 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1950_15	文件：1.73326 Mbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD 文件：1.73326 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SD1950
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_HI.BETA
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2873,
最大耗散功率：
放大倍数：
β=1500
图片代号：
H-100
vtest：
30
htest：
999900
atest：
2
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
25
IC @25 °C (A)：
2
VCE (sat) (V)：
0.3
hFE：
800-3200
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.35
Cob (Typical) (pF)：
26

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