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2SD1950-T1-AZ中文资料PDF规格书

2SD1950-T1-AZ
厂商型号

2SD1950-T1-AZ

功能描述

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

文件大小

1.73326 Mbytes

页面数量

6

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-22 15:24:00

2SD1950-T1-AZ规格书详情

DESCRIPTION

The 2SD1950 is designed for general-purpose applications requiring High DC Current Gain.

This is suitable for all kind of driving or muting.

FEATURES

● High DC Current Gain and Good hFE linearity.

hFE = 800 to 3 200 (VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A)

● Low Collector Saturation Voltage.

VCE(sat) = 0.18 V TYP. (IC = 1.0 A, IB = 10 mA)

● High VEBO : VEBO = 15 15V

产品属性

  • 型号:

    2SD1950-T1-AZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    NPN TRANSISTOR

  • 制造商:

    Renesas Electronics

  • 功能描述:

    Cut Tape

  • 功能描述:

    NPN PWR Transistor,25V,2A,P-MINIMOLD3

  • 制造商:

    Renesas

  • 功能描述:

    Trans GP BJT NPN 25V 2A 4-Pin(3+Tab) Power Mini-Mold

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
SOT-89
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RENESAS
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SOT89
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SOT89
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RENESAS
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SOT89
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