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2SD1959	文件：267.73 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 650V (Min) • High Switching Speed • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. 文件：267.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2114KT146V	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMT3HP	ROHM/罗姆上传：深圳广友电子有限公司	ROHM/罗姆
2SD2114KT146W	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	ROHM/罗姆上传：深圳广友电子有限公司	ROHM/罗姆
2SD2131	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	TOSHIBA 东芝上传：深圳市博兴电子有限公司	TOSHIBA
2SD2170T100	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	ROHM 罗姆上传：深圳市美思瑞电子科技有限公司	ROHM

晶体管资料

型号：
2SD1959
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）_电视（TV）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1400V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU2520AF,2SC3975,2SD1548,2SD1887,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
图片代号：
B-54
vtest：
1400
htest：
999900
atest：
10
wtest：
50

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更多2SD1959供应商更新时间2026-4-19 16:00:00

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