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2SD1963	文件：61.48 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (-50V, -3A) Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = −0.45V (Max.) at IC/IB = −1.5A / −0.15A. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD1963. 文件：61.48 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1963	文件：60.27 Kbytes Page：3 Pages	Power transistor (50V, 3A) Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = −0.45V (Max.) at IC/IB = −1.5A / −0.15A. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1308. 文件：60.27 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1963	文件：50.12 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features Low saturation voltage. Excellent DC current gain characteristics. 文件：50.12 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1963	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low VCE(sat) Transistor 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 Low VCE(sat)晶体管;	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1963T100R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 3A MPT3	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1963T100S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 3A MPT3	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SD1963
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_BLITZG_STROBO
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4521,2SD1119,2SD1624,2SD1628,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
50
htest：
150000000
atest：
3
wtest：
0

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
20.0
Collector current Io(Ic) [A]：
3.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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