2SD1963中文资料Low VCE(sat) Transistor数据手册ROHM规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2SD1963三极管、2SD1963晶体管、2SD1963晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_BLITZG_STROBO
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
150MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
2SC4521,2SD1119,2SD1624,2SD1628,
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-100
- vtest：
50
- htest：
150000000
- atest：
3
- wtest：
0
2SD1963规格书详情
描述 Description
为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。
特性 Features
Low VCE(sat)晶体管
简介
2SD1963属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ROHM制造生产的2SD1963晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：2SD1963
- 生产厂家
：ROHM
- Status
：新设计非推荐
- 封装
：MPT3
- 包装数量
：1000
- 最小独立包装数量
：1000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Grade
：Standard
- Package Code
：SOT-89
- JEITA Package
：SC-62
- Package Size[mm]
：4.5x4.0 (t=1.5)
- Number of terminal
：3
- Polarity
：NPN
- Collector Power dissipation PC[W]
：0.5
- Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
：20.0
- Collector current Io(Ic) [A]
：3.0
- Mounting Style
：Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
25+ |
SOT-89 |
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