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2SD2025	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220FP；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2025	文件：329.64 Kbytes Page：7 Pages	POWER TRANSISTOR (-100V, -8A) Power Transistor ( -100V, - 8A) Power Transistor (100V, 8A) 文件：329.64 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2025	文件：124.96 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·DARLINGTON ·Complement to type 2SB1344 APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier and power driver applications 文件：124.96 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2025	文件：121.86 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·DARLINGTON ·Complement to type 2SB1344 APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier and power driver applications 文件：121.86 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2025	文件：123.46 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：123.46 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2025	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power Transistor (-)100V, (-) 8A	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SD2025
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
绝缘（Iso）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1634,2SD1928,2SD2094,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=10000
图片代号：
B-38
vtest：
100
htest：
999900
atest：
8
wtest：
30

详细参数

型号：
2SD2025
功能描述：
TRANS NPN DARL 100V 8A TO022FP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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