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2SD2100	文件：114.82 Kbytes Page：4 Pages	Compact Motor Driver Applications??? Features • Low saturation voltage. • Contains diode between collector and emitter. • Contains bias resistance between base and emitter. • Large current capacity. • Small-sized package making it easy to provide high density, small-sized hybrid ICs. 文件：114.82 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD2101	文件：35.98 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier 文件：35.98 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2101	文件：150.31 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier 文件：150.31 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2101	文件：129.639 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • DARLINGTON APPLICATIONS • Low frequency power amplifier 文件：129.639 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2101	文件：108.97 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • DARLINGTON APPLICATIONS • Low frequency power amplifier 文件：108.97 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SD2101	文件：113.95 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • DARLINGTON APPLICATIONS • Low frequency power amplifier 文件：113.95 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2102	文件：335.32 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMFPLIFIER D2102 Hitachi 2SD2102 Datasheet PDF 文件：335.32 Kbytes 页数：4 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2103	文件：89.65 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier 文件：89.65 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2104	文件：35.33 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier 文件：35.33 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2104	文件：245.15 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 4A • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 4A, VCE= 3V APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications 文件：245.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SD2163
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1591,2SD1830,2SD2105,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=6000
图片代号：
B-38
vtest：
150
htest：
999900
atest：
10
wtest：
30

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
150
VCEO (V)：
100
Vebo (V)：
8
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
10
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
1000
hFE max.：
30000
Pc (W)：
30
Package Type：
MP-45F
Production Status：
EOL

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