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2SD2104	文件：245.15 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 4A • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 4A, VCE= 3V APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications 文件：245.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2105	文件：243.85 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 5A • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 5A, VCE= 3V APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications 文件：243.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2106	文件：245.14 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 3A, VCE= 3V APPLICATIONS ·Design 文件：245.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2106	文件：35.77 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：35.77 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD2106	文件：149.93 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：149.93 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2107	文件：146.78 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Applications Low frequency power amplifier 文件：146.78 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2108	文件：351.85 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：351.85 Kbytes 页数：4 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD2108	文件：243.85 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 4A • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 4A, VCE= 3V APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications 文件：243.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD211	文件：108.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Large current capability ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For power amplifier and switching applications 文件：108.68 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD211	文件：128.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Large current capability ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For power amplifier and switching applications 文件：128.21 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SD2137
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_输出极（E）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD177,BD179,BD189,2SD794,2SD794A,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
A-71
vtest：
60
htest：
30000000
atest：
3
wtest：
15

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
2
IC(A)：
3
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
60
VEBO(V)：
6
hFEMin：
70
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
4
hFE@IC(A)：
1
VCE(sat)(V)：
1.2
VCE(sat)@IC(A)：
3
VCE(sat)@IB(A)：
0.375
Package：
TO-220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SD2137	三洋	24+		3692		询价
深圳市弘为电子有限公司	2SD2137	MAT	24+	原厂封装	1700	原装现货假一罚十	询价
深圳市勤思达科技有限公司	2SD2137	松下PANASO	15+	TO-220F	11560	全新原装,现货库存,长期供应	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	2SD2137	长电	25+23+	TO-220-3L	23661	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SD2137	CJ	20+	TO220	32970	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SD2137	PANASONIC/松下	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	2SD2137	PANASONIC/松下	22+	MT-3-A1	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SD2137	PANASONIC	23+	MT-3-A1	4000	正品原装货价格低	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	2SD2137	N/A	25+	TO-220F	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SD2137	PANASON/松下	24+	NA/	6250	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价

更多2SD21供应商更新时间2025-12-20 10:50:00

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