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2SD211	文件：128.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Large current capability ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For power amplifier and switching applications 文件：128.21 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD211	文件：108.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Large current capability ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For power amplifier and switching applications 文件：108.68 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2110	文件：268.79 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 2A • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 2A, VCE= 3V APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications 文件：268.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2111	文件：246.18 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 120V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1.5A ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 1.5A, VCE= 3V APPLICATIONS ·Designed for low frequency poweramplifier applications 文件：246.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2112	文件：244.83 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 3A, VCE= 3V APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications 文件：244.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2113	文件：243.85 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 120V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1.5A ·High DC Current Gain: hFE= 1000(Min) @ IC= 1.5A, VCE= 3V APPLICATIONS ·Designed for low frequency poweramplifier applications 文件：243.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2114	文件：415.52 Kbytes Page：3 Pages	丝印：BBV；Package：SOT-23；NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURE • High DC Current Gain. • High Emitter-Base Voltage. VEBO=12V (Min.) 文件：415.52 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2114	文件：889.59 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat). 文件：889.59 Kbytes 页数：3 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SD2114	文件：919.47 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat). 文件：919.47 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD2114K	文件：36.38 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features High DC current gain. High emitter-base voltage. Low VCE (sat). 文件：36.38 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
NPN
V(BR)CEO(V)min.：
20
IC(A)：
0.5
hFEmin.：
300
hFEmax.：
2700
VCE (sat)(V)：
0.4
IB(mA)：
20
fT(MHz)min.：
350
PD(W)max.：
0.2
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
双极型晶体管

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更多2SD211供应商更新时间2025-12-1 16:00:00

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