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2SD2115S	文件：37.92 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ● Low frequency power amplifier. 文件：37.92 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2116	文件：71.44 Kbytes Page：3 Pages	General Driver Applications??????? General Driver Applications Features • Darlington connection. • High DC current gain. • Large current capacity, wide ASO. 文件：71.44 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD2117	文件：66.8 Kbytes Page：3 Pages	General Driver Applications????????? General Driver Applications Features • Darlington connection. • High DC current gain. • Large current capacity, wide ASO. 文件：66.8 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD2118	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D2118；Package：SOT-428；Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2118	文件：40.25 Kbytes Page：1 Pages	Low VCE(sat) Transistor Features Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor. 文件：40.25 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2118	文件：486 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistor FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.25V(Typ.) (IC/IB= 4A / 0.1A) Excellent DC Current Gain Characteristics 文件：486 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2118	文件：298.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers 文件：298.33 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2118	文件：279.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers 文件：279.28 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2118-251	文件：298.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers 文件：298.33 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2118-252	文件：279.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers 文件：279.28 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SD211
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BD130,BD311,BDW21A,BDX10,BDY20,BDY39,2N3055,2N5877,2N5878,3DA74A,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
60
htest：
999900
atest：
10
wtest：
100

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
NPN
V(BR)CEO(V)min.：
20
IC(A)：
0.5
hFEmin.：
300
hFEmax.：
2700
VCE (sat)(V)：
0.4
IB(mA)：
20
fT(MHz)min.：
350
PD(W)max.：
0.2
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
双极型晶体管

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更多2SD211供应商更新时间2026-1-17 16:01:00

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