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2SD2118分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SD2118

参数属性

2SD2118 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 5A CPT3

功能描述

Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)
TRANS NPN 20V 5A CPT3

丝印标识

D2118

封装外壳

SOT-428 / TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

159.27 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-28 19:10:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD2118(F5)

  • 别名:

    2SD2118三极管、2SD2118晶体管、2SD2118晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    150MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC3072,2SC3074,2SD1803,2SD1805,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-80

  • vtest:

    50

  • htest:

    150000000

  • atest:

    5

  • wtest:

    1

2SD2118规格书详情

2SD2118属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由罗姆半导体集团制造生产的2SD2118晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

1) Low VCE(sat).

VCE(sat) = 0.25V (Typ.)

(IC / IB = 4A / 0.1A)

2) Excellent DC current gain charac teristics.

3) Complements the

2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436.

Structure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SD2118TLR

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 100mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 5A CPT3

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