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2SD2114	文件：889.59 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat). 文件：889.59 Kbytes 页数：3 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SD2114	文件：919.47 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat). 文件：919.47 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD2114	文件：415.52 Kbytes Page：3 Pages	丝印：BBV；Package：SOT-23；NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURE • High DC Current Gain. • High Emitter-Base Voltage. VEBO=12V (Min.) 文件：415.52 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2114	文件：256.7 Kbytes Page：3 Pages	丝印：BBV；Package：SOT-23；NPN Plastic-Encapsulate Transistor 文件：256.7 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2114	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
2SD2114	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SD2114K	文件：112.63 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：112.63 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114K	文件：36.38 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features High DC current gain. High emitter-base voltage. Low VCE (sat). 文件：36.38 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2114K	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：132.83 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114K	文件：96.46 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE= 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO=12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat)= 0.18V (Typ.) (IC/ IB= 500mA / 20mA) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：96.46 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SD2114K
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3326,2SC3440,2SC3661,2SD596,2SD1328,
最大耗散功率：
放大倍数：
β>560
图片代号：
H-15
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
NPN
V(BR)CEO(V)min.：
20
IC(A)：
0.5
hFEmin.：
300
hFEmax.：
2700
VCE (sat)(V)：
0.4
IB(mA)：
20
fT(MHz)min.：
350
PD(W)max.：
0.2
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
双极型晶体管

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更多2SD2114供应商更新时间2026-1-17 10:28:00

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