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High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA) | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
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NPN Plastic-Encapsulate Transistor | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
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High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
High-current Gain Medium Power Transistor | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
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晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
表面帖装型 (SMD)
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
25V
- 最大电流允许值:
0.5A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
2SC3326,2SC3440,2SC3661,2SD596,2SD1328,
- 最大耗散功率:
- 放大倍数:
β>560
- 图片代号:
H-15
- vtest:
25
- htest:
999900
- atest:
0.5
- wtest:
0
详细参数
- 型号:
2SD2114
- 制造商:
HTSEMI
- 制造商全称:
Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.
- 功能描述:
TRANSISTOR(NPN)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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CJ |
23+ |
SOT23 |
8500 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
ROHM |
24+ |
SOT-23 |
99200 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
ROHM |
10+ |
SOT-23 |
2100 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
询价 | ||
ROHM |
25+23+ |
Sot-23 |
30299 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
国产 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
CJ |
1224+ |
SOT23 |
6000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
CJ |
22+ |
SOT23 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
询价 | ||
ROHM |
2023+环保现货 |
SOT-23 |
18000 |
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务 |
询价 | ||
ROHM |
23+ |
SOT-23 |
15000 |
正品原装货价格低 |
询价 | ||
ROHM |
2023+ |
SOT23 |
58000 |
进口原装,现货热卖 |
询价 |
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