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2SD2114KT146W分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SD2114KT146W |
参数属性 | 2SD2114KT146W 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 0.5A SMT3 |
功能描述 | High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
112.63 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Rohm |
企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 23:00:00 |
人工找货 | 2SD2114KT146W价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2SD2114KT146W规格书详情
特性 Features
1) High DC current gain.
hFE = 1200 (Typ.)
2) High emitter-base voltage.
VEBO =12V (Min.)
3) Low VCE (sat).
VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)
产品属性
- 产品编号:
2SD2114KT146W
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
400mV @ 20mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1200 @ 10mA,3V
- 频率 - 跃迁:
350MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SMT3
- 描述:
TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(罗姆) |
24+ |
SC59 |
7350 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
125 |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
SOT23 |
54648 |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
SOT23 |
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ROHM(罗姆) |
2024+ |
SMT3 |
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询价 | ||
ROHM |
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SOT-23 |
9852 |
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ROHM |
24+ |
SOT-23 |
9146 |
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ROHM/罗姆 |
22+ |
SOT-23 |
129000 |
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ROHM |
24+ |
SOT23 |
9000 |
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ROHM |
23+ |
SOT23 |
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