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2SD2114KS	文件：96.46 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114	文件：256.7 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD2114	文件：889.59 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighDCcurrentgain. •Highemitter-basevoltage. •LowVCE(sat).	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SD2114	文件：919.47 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighDCcurrentgain. •Highemitter-basevoltage. •LowVCE(sat).	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD2114	文件：415.52 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURE •HighDCCurrentGain. •HighEmitter-BaseVoltage.VEBO=12V(Min.)	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD2114K	文件：96.46 Kbytes Page：5 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114K	文件：164.02 Kbytes Page：4 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114K	文件：112.63 Kbytes Page：4 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114K	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114K	文件：99.44 Kbytes Page：5 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114K	文件：36.38 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistor Features HighDCcurrentgain. Highemitter-basevoltage. LowVCE(sat).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD2114KU	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114KV	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114KW	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
2SD2114KS
制造商：
ROHM
制造商全称：
Rohm
功能描述：
High-current Gain Medium Power Transistor(20V, 0.5A)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	2SD2114KT146		05+	原厂原装	31538	只做全新原装真实现货供应	询价
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深圳市明嘉莱科技有限公司	2SD2114KT146K	ROHM/罗姆	24+	NA	990000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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