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2SD2122	文件：34.68 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) 文件：34.68 Kbytes 页数：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2122	文件：152.08 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) 文件：152.08 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2122	文件：275.79 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：275.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2122	文件：294.84 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2122	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application\nLow frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S)	Renesas 瑞萨	Renesas
2SD2122-251	文件：294.84 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2122-252	文件：275.79 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：275.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2122L	文件：34.68 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) 文件：34.68 Kbytes 页数：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2122L	文件：152.08 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) 文件：152.08 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2122S	文件：34.68 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) 文件：34.68 Kbytes 页数：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

晶体管资料

型号：
2SD2122L,S
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
180MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2983,2SC4027,2SC4072,2SC1080,2SC1081,2SC1082,2SD1033,2SD1557,2SD1918,
最大耗散功率：
18W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
180
htest：
180000000
atest：
1.5
wtest：
18

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
120
hFE min.：
60
hFE max.：
200
Pc (W)：
18
Production Status：
EOL

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更多2SD2122供应商更新时间2026-1-17 16:30:00

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