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2SD2118TLQ	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.25V(Typ.) (IC/IB=4A/0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe 2SB1386/2SB1412/2SB1326/2SB1436. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2118TLQ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 5A CPT3	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2118	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)Transistor(Strobeflash) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.25V(Typ.) (IC/IB=4A/0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe 2SB1386/2SB1412/2SB1326/2SB1436. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2118	文件：109.28 Kbytes Page：5 Pages	LowVCE(sat)transistor(strobeflash)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2118	文件：106.88 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SD2118	文件：486 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES LowVCE(sat).VCE(sat)=0.25V(Typ.)(IC/IB=4A/0.1A) ExcellentDCCurrentGainCharacteristics	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD2118	文件：185.03 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)transistor(strobeflash)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2118	文件：40.25 Kbytes Page：1 Pages	LowVCE(sat)Transistor Features LowVCE(sat). ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. NPNsilicontransistor.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD2118	文件：1.16642 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD2118	文件：130.24 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SD2118	文件：558.38 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD2118	文件：330.68 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD2118TLR	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)Transistor(Strobeflash) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.25V(Typ.) (IC/IB=4A/0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe 2SB1386/2SB1412/2SB1326/2SB1436. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

产品属性

产品编号：
2SD2118TLQ
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 100mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
CPT3
描述：
TRANS NPN 20V 5A CPT3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	2SD2118TLQ	ROHM	19+	SOT-252	22625		询价
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更多2SD2118TLQ供应商更新时间2024-5-15 15:07:00

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