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2SD2121	文件：31.02 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1407(L)/(S) 文件：31.02 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2121	文件：145.01 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1407(L)/(S) 文件：145.01 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2121	文件：276.23 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 35V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2121	文件：295.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 35V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2121	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application\nLow frequency power amplifier complementary pair with 2SB1407(L)/(S)	HITACHI 日立	HITACHI
2SD2121-251	文件：295.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 35V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2121-252	文件：276.23 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 35V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2121L	文件：145.01 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1407(L)/(S) 文件：145.01 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2121L	文件：31.02 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1407(L)/(S) 文件：31.02 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2121S	文件：31.02 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1407(L)/(S) 文件：31.02 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

晶体管资料

型号：
2SD2121L,S
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
2.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3386,2SD1221,2SD1760,2SD1802,
最大耗散功率：
18W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
35
htest：
999900
atest：
2.5
wtest：
18

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
35
hFE min.：
60
hFE max.：
320
Pc (W)：
18
Production Status：
EOL

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