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2SD2111	文件：246.18 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 120V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1.5A ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 1.5A, VCE= 3V APPLICATIONS ·Designed for low frequency poweramplifier applications 文件：246.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2112	文件：244.83 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 3A, VCE= 3V APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications 文件：244.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2113	文件：243.85 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 120V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1.5A ·High DC Current Gain: hFE= 1000(Min) @ IC= 1.5A, VCE= 3V APPLICATIONS ·Designed for low frequency poweramplifier applications 文件：243.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2114	文件：919.47 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat). 文件：919.47 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD2114	文件：889.59 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat). 文件：889.59 Kbytes 页数：3 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SD2114	文件：415.52 Kbytes Page：3 Pages	丝印：BBV；Package：SOT-23；NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURE • High DC Current Gain. • High Emitter-Base Voltage. VEBO=12V (Min.) 文件：415.52 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2114K	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：132.83 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114K	文件：96.46 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE= 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO=12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat)= 0.18V (Typ.) (IC/ IB= 500mA / 20mA) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：96.46 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114K	文件：112.63 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：112.63 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114K	文件：36.38 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features High DC current gain. High emitter-base voltage. Low VCE (sat). 文件：36.38 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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晶体管资料

型号：
2SD2163
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1591,2SD1830,2SD2105,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=6000
图片代号：
B-38
vtest：
150
htest：
999900
atest：
10
wtest：
30

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
150
VCEO (V)：
100
Vebo (V)：
8
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
10
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
1000
hFE max.：
30000
Pc (W)：
30
Package Type：
MP-45F
Production Status：
EOL

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