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2SD2104	文件：35.33 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier 文件：35.33 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD2104	文件：245.15 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 4A • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 4A, VCE= 3V APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications 文件：245.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2104	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Darlington Transistor	HITACHI 日立	HITACHI
2SD2114KT146V	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMT3HP	ROHM/罗姆上传：深圳广友电子有限公司	ROHM/罗姆
2SD2114KT146W	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	ROHM/罗姆上传：深圳广友电子有限公司	ROHM/罗姆

详细参数

型号：
2SD2104
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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