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2SD2016	文件：21.6 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Igniter, Relay and General Purpose) Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor Application : Igniter, Relay and General Purpose 文件：21.6 Kbytes 页数：1 Pages	Sanken 三垦	Sanken
2SD2016	文件：238.86 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 200V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1A • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 1A, VCE= 4V APPLICATIONS • Igniter, relay and general purpose applications. 文件：238.86 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2016	文件：30.8 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor 文件：30.8 Kbytes 页数：1 Pages	Sanken 三垦	Sanken
2SD2016	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极型晶体管硅 NPN 三重扩散型晶体管（连接达林顿管）・直流电流放大倍数高（连接达林顿）;	Sanken 三垦	Sanken
2SD2016	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 200V 3A TO220F	Sanken 三垦	Sanken
2SD2016_01	文件：30.33 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor 文件：30.33 Kbytes 页数：1 Pages	Sanken 三垦	Sanken

产品属性

产品编号：
2SD2016
制造商：
Sanken
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1.5mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，4V
频率 - 跃迁：
90MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F
描述：
TRANS NPN DARL 200V 3A TO220F

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