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2SD2016

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Igniter, Relay and General Purpose)

SiliconNPNTripleDiffusedPlanarTransistor Application:Igniter,RelayandGeneralPurpose

SankenSanken Electric Co Ltd.

三垦日本三垦

2SD2016

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=200V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=1A •HighDCCurrentGain :hFE=1000(Min)@IC=1A,VCE=4V APPLICATIONS •Igniter,relayandgeneralpurposeapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SD2016

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

SankenSanken Electric Co Ltd.

三垦日本三垦

2SD2016

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:TO-220-3 整包 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 200V 3A TO220F

SankenSanken Electric Co Ltd.

三垦日本三垦

2SD2016_01

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

SankenSanken Electric Co Ltd.

三垦日本三垦

晶体管资料

  • 型号:

    2SD2016

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    200V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    90MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SD1592,2SD1789,2SD1909,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-97

  • vtest:

    200

  • htest:

    90000000

  • atest:

    3

  • wtest:

    25

产品属性

  • 产品编号:

    2SD2016

  • 制造商:

    Sanken

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 1.5mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 1A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    90MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 200V 3A TO220F

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SD2016供应商 更新时间2024-4-29 10:20:00