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2SD2018	文件：78.38 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type darlington SiliconNPNepitaxialplanartypedarlington Forlow-frequencyamplification ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFE •Built-in60VZenerdiodebetweenbasetocollector	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
2SD2018	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 60V 1A TO126B-A1	PanasonicElectronicComponents Panasonic Electronic Components	PanasonicElectronicComponents

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2SD2018

文件：78.38 Kbytes

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Silicon NPN epitaxial planar type darlington

SiliconNPNepitaxialplanartypedarlington Forlow-frequencyamplification ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFE •Built-in60VZenerdiodebetweenbasetocollector

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下电器

Panasonic

2SD2018

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 60V 1A TO126B-A1

PanasonicElectronicComponents

Panasonic Electronic Components

PanasonicElectronicComponents

产品属性

产品编号：
2SD2018
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.8V @ 1mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
6500 @ 1A，10V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126B-A1
描述：
TRANS NPN DARL 60V 1A TO126B-A1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SD2018	ROHM	24+		60000		询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	2SD2018	PANASONIC/松下	22+	TO126	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
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更多2SD2018供应商更新时间2025-7-25 16:30:00

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