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2SD2027	文件：258.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) • Good Linearity of hFE • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SB1346 APPLICATIONS • Designed for low frequency and general purpose amplifier applications. 文件：258.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2114KT146V	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMT3HP	ROHM/罗姆上传：深圳广友电子有限公司	ROHM/罗姆
2SD2114KT146W	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	ROHM/罗姆上传：深圳广友电子有限公司	ROHM/罗姆
2SD2131	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	TOSHIBA 东芝上传：深圳市博兴电子有限公司	TOSHIBA
2SD2170T100	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	ROHM 罗姆上传：深圳市美思瑞电子科技有限公司	ROHM

晶体管资料

型号：
2SD2027
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
8MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD241A,BD353,BD539A,BD935,2SD856,2SD880,2SD1567,2SD2023,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
8000000
atest：
3
wtest：
30

详细参数

型号：
2SD2027
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon NPN Power Transistor

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