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2SD1864	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：81.97 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1864	文件：153.28 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：153.28 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1864	文件：147 Kbytes Page：4 Pages	丝印：QR；Package：ATV；Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：147 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1866	文件：89.73 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D1866；Package：ATV；Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60짹10V, 2A) Features 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to L loads. 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode. 文件：89.73 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1866TV2	文件：107.08 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (Motor, Relay drive) (60??0V, 2A) Features 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to L loads. 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode. 文件：107.08 Kbytes 页数：3 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1866TV2	文件：107.08 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (Motor, Relay drive) (60??0V, 2A) Features 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to L loads. 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode. 文件：107.08 Kbytes 页数：3 Pages	LITTELFUSE 力特	LITTELFUSE
2SD1867	文件：81.2 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D1866；Package：ATV；Power Transistor (100V , 2A) Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SB1580 / 2SB1316. 文件：81.2 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1867	文件：70.24 Kbytes Page：1 Pages	丝印：D1866；Package：ATV；Transistors Power Transistor (+/- 100V/ +/- 2A) 文件：70.24 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1867	文件：87.76 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D1866；Package：ATV；Power Transistor (100V, 2A) Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SB1580 / 2SB1316. 文件：87.76 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1868	文件：153.8 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier 文件：153.8 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SD186
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC127,AC176,AC187,2N1302,2SD30,2SD72,3BX81B,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
C-47
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.15
wtest：
0.2

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
200
IC (A) @25 °C：
0.1
hFE min.：
60
hFE max.：
320
Pc (W)：
0.9
fT (GHz) typ.：
0.14
Package Type：
TO-92Mod
Production Status：
EOL

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