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2SD1790	文件：463.23 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Transistor(짹 4A NPN) Darlington Transistor ± 4A NPN 文件：463.23 Kbytes 页数：8 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SD1790	文件：273.58 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage • High DC Current Gain • High Reliability • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for audio frequency power amplifier and low speed high current switching industrial use. 文件：273.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1791	文件：444.23 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(7A NPN) Darlington Transistor 文件：444.23 Kbytes 页数：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SD1791	文件：242.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 100V (Min.) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for audio frequency power amplifier and low speed high current switching industrial use. 文件：242.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1792	文件：223.83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With ITO-220 package ·Switching power transistor ·DARLINGTON VCBO Collector-base voltage Open emitter 200 V VCEO Collector-emitter voltage Open base 200 V VEBO Emitter-base voltage Open collector 7 V 文件：223.83 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1792	文件：442.16 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(7A NPN) Storage Temperature Tstg -55～+150 ℃ Junction Temperature Tj +150 ℃ Collector to Base Voltage VCBO 200 V Collector to Emitter Voltage VCEO 200 V 文件：442.16 Kbytes 页数：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SD1793	文件：467.69 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(10A NPN) Darlington Transistor (10A NPN) 文件：467.69 Kbytes 页数：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SD1793	文件：242.13 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 100V (Min.) · High Switching Speed APPLICATIONS · Designed for audio frequency power amplifier and low speed high current switching industrial use. 文件：242.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1794	文件：466.76 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(10A NPN) Darlington Transistor 10A NPN 文件：466.76 Kbytes 页数：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SD1794	文件：241.64 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 200V (Min.) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for audio frequency power amplifier and low speed high current switching industrial use. 文件：241.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SD1796
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
INT.Z_DIODE
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
60MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1788,2SD1790,2SD1825,2SD1987,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β=2000
图片代号：
B-97
vtest：
60
htest：
60000000
atest：
4
wtest：
25

产品属性

产品编号：
2SD1796
制造商：
Sanken
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 10mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 3A，4V
频率 - 跃迁：
60MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F
描述：
TRANS NPN DARL 60V 4A TO220F

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