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2SD1792	文件：442.16 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(7A NPN) Storage Temperature Tstg -55～+150 ℃ Junction Temperature Tj +150 ℃ Collector to Base Voltage VCBO 200 V Collector to Emitter Voltage VCEO 200 V 文件：442.16 Kbytes 页数：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SD1792	文件：223.83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With ITO-220 package ·Switching power transistor ·DARLINGTON VCBO Collector-base voltage Open emitter 200 V VCEO Collector-emitter voltage Open base 200 V VEBO Emitter-base voltage Open collector 7 V 文件：223.83 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1792	文件：225.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：225.43 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1792	文件：131.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：131.68 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1792	文件：300 bytes Page：1 Pages	Darlington Transistors	Shindengen 新电元	Shindengen

晶体管资料

型号：
2SD1792
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1794,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=15000-30000
图片代号：
B-5
vtest：
200
htest：
50000000
atest：
7
wtest：
30

详细参数

型号：
2SD1792
功能描述：
达林顿晶体管 V=200 IC=7 HFE=1500
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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