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2SD1816	文件：468.71 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Features • Low Collector to Emitter Saturation Voltage • Small and Slim Package Facilitating Compactness of Sets • High fT • Good Linearity of hFE • Fast Switching Time Typical Applications • Suitable for Relay Drivers • High Speed Inverters • Converters • Other General High Current Swit 文件：468.71 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1816	文件：366.77 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Features • Low Collector to Emitter Saturation Voltage • Small and Slim Package Facilitating Compactness of Sets • High fT • Good Linearity of hFE • Fast Switching Time Typical Applications • Suitable for Relay Drivers • High Speed Inverters • Converters • Other General High Current Swit 文件：366.77 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1816	文件：126.45 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications High-Current Switching Applications Features • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Good linearity of hFE. • Small and slim package facilitating compactness of sets. • High fT. • Fast switching time. Applications • Suitable for relay drivers, high-speed inverters, convert 文件：126.45 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1816	文件：219.29 Kbytes Page：4 Pages	HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS FEATURES * Low collector-to-emitter saturation voltage * Good linearity of hFE * Small and slim package facilitating compactness of sets. * High fT * Fast switching speed 文件：219.29 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD1816	文件：266.18 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent linearity of hFE • Small and slim package facilitating compactness of sets • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATION 文件：266.18 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1816	文件：300.06 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor FEATURES · Excellent linearity of hFE · Small and slim package facilitating compactness of sets · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed · High fT APPLICATIONS · Relay drivers,High speed inverters,converters and other general high-current switching applications 文件：300.06 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1816	文件：281.01 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor FEATURES · Excellent linearity of hFE · Small and slim package facilitating compactness of sets · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed · High fT APPLICATIONS · Relay drivers,High speed inverters,converters and other general high-current switching applications 文件：281.01 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1816	文件：363.56 Kbytes Page：3 Pages	4A , 120V NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES • Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage • Excellent Linearity of hFE • High fT • Fast Switching Time 文件：363.56 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD1816	文件：243.56 Kbytes Page：5 Pages	HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATION 文件：243.56 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD1816	文件：154.87 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications 文件：154.87 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.4
IC Cont. (A)：
4
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
120
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.9
hFE Min：
140
hFE Max：
280
PTM Max (W)：
1
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1816供应商更新时间2025-12-9 10:19:00

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