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2SD1700	文件：126.41 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SD1700 is NPN silicon epitaxial darlington transistor designed for pulse motor driver, printer driver, solenoid driver. FEATURES ● High DC Current Gain ● Zener Diode between Collector and Base for Absorbing Surge Voltage is Built-in. ● Reverse Diode between Collector and Emit 文件：126.41 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1701	文件：117.28 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SD1701 is NPN silicon epitaxial darlington transistor designed for pulse motor driver, printer driver, solenoid driver. FEATURES ● High DC Current gain. ● Zener Diode between Collector and Base for Absorbing Surge Voltage is built-in. ● Reverse Diode between Collector and 文件：117.28 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1702	文件：197.78 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SD1702 is NPN silicon epitaxial darlington transistor designed for pulse motor, printer driver, solenoid driver. 文件：197.78 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1702	文件：321.86 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The 2SD1702 is NPN silicon epitaxial darlington transistor designed for pulse motor, printer driver, solenoid driver. 文件：321.86 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1705	文件：92.88 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type For power switching Complementary to 2SB1154 ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE • Large collector current IC • Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw 文件：92.88 Kbytes 页数：4 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1705	文件：255.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • Good Linearity of hFE • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Max.)@ IC= 6A • Complement to Type 2SB1154 APPLICATIONS • Designed for power switching applications 文件：255.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1706	文件：255.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Low Collector Saturation Voltage-: VCE(sat)= 0.5V(Max.)@ IC= 7A ·Complement to Type 2SB1155 APPLICATIONS ·Designed for power switching applications 文件：255.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1706	文件：174.44 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER SWITCHING Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：174.44 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1707	文件：93.37 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type For power switching Complementary to 2SB1156 ■Features •Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) •Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE •Large collector current IC •Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw 文件：93.37 Kbytes 页数：4 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1707	文件：254.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO = 80V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Max.)@ IC= 8A ·Complement to Type 2SB1156 APPLICATIONS ·Designed for power switching applications 文件：254.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SD1701
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
INT.Z_DIODE(B->C)
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD2068,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍数：
β>4000
图片代号：
A-68
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0.75

技术参数

VCEO (V)：
60
hFE min.：
4000
hFE max.：
50000
Pc (W)：
0.75
Production Status：
EOL

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