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2SD1691	文件：150.24 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SD1691 is a low VCE(sat) transistor which has a large current capability and wide SOA. It is suitable for DC-DC converter, or driver of solenoid or motor. FEATURES ● Low Collector Saturation Voltage. VCE(sat) = 0.1 V TYP.(@IC/IB = 2.0 A/0.2 A) ● Large Current. IC(DC) 文件：150.24 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1691	文件：102.58 Kbytes Page：3 Pages	LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT ■ FEATURES * High Power Dissipation * Complementary to 2SB1151 文件：102.58 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD1691	文件：237.21 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR FEATURES • Large current capacity and low VCE(sat): IC(DC) = 5.0 A, IC(pulse) = 8.0 A VCE(sat) = 0.1 V TYP. (@IC = 2.0 A, IB = 0.2 A) • Large power dissipation TO-126 type power transistor PT = 1.3 W (@Ta = 25°C), 20 W (@Tc = 25°C) • Complementary transistor: 2SB1151 文件：237.21 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1691	文件：311.47 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector Current -IC= 5A ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.3V(Max.)@ IC= 2A ·Complement to Type 2SB1151 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in DC-DC converter, or driver of sol 文件：311.47 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1691	文件：112.48 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB1151 ·Low saturation voltage ·High total power dissipation:PT=1.3W ·Large current capability and wide SOA APPLICATIONS ·DC-DC converter ·Driver of solenoid or motor 文件：112.48 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1691	文件：59.69 Kbytes Page：1 Pages	It is intented for use in power amplifier and switching applications. DESCRIPTION It is intented for use in power amplifier and switching applications. 文件：59.69 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
2SD1691	文件：78.64 Kbytes Page：1 Pages	Complementary Silicon Power Ttransistors DESCRIPTION It is intented for use in power amplifier and switching applications. 文件：78.64 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
2SD1691	文件：114.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：114.1 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1691	文件：250.85 Kbytes Page：4 Pages	LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT 文件：250.85 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD1691	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SD1691
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
LO.SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD826,2SD1722,2SD1746,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
5
wtest：
20

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
60
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
7
IC (A) @25 °C：
5
VCE(sat) (V) max.：
0.3
hFE min.：
100
hFE max.：
400
Pc (W)：
20
Package Type：
MP-5
Production Status：
EOL

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