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2SD1640

Silicon NPN epitaxial planar darlington type AF output amplifier

For low-frequency output amplification ■Features •High forward current transfer ratio hFE •Large peak collector current ICP •High collector-emitter voltage (Base open) VCEO

文件:153.11 Kbytes 页数:2 Pages

Panasonic

松下

2SD1640

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

文件:222.43 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1640

Power Device - Power Transistors - Others

Panasonic

松下

2SD16400Q

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO126B-A1

PanasonicElectronicComponents

2SD16400R

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO126B-A1

PanasonicElectronicComponents

详细参数

  • 型号:

    2SD1640

  • 功能描述:

    TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1

  • 晶体管类型:

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):

    200mV @ 100mA,1A 电流 -

  • 集电极截止(最大):

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE):

    300 @ 500mA,5V 功率 -

  • 最大:

    710mW 频率 -

  • 转换:

    100MHz

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 其它名称:

    MMBT489LT1GOSDKR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MATSUSHITA
25+
TO-126
45000
MATSUSHITA全新现货2SD1640即刻询购立享优惠#长期有排单订
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TO-126
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TO-225AA TO-126-3
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更多2SD1640供应商 更新时间2025-10-13 17:23:00