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2SD1608	文件：43.98 Kbytes Page：1 Pages	Medium Speed Power Switching Si NPN Triple Diffused Planar Darlington Medium Speed Power Switching Complementary Pair with 2SB1108 Features • High hFE • High speed switching • Full Pack package for simplified mounting only by a screw, requires no insulator. 文件：43.98 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1609	文件：32.509 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SB1109 and 2SB1110 文件：32.509 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1610	文件：32.509 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SB1109 and 2SB1110 文件：32.509 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1611	文件：64.2 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) Silicon NPN triple diffusion planar type darlington For power amplification ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • High collector-base voltage (Emitter open) VCBO • N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printed circuit board, etc. of small electr 文件：64.2 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1611	文件：43.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type Darlington Features ● High forward current transfer ratio hFE ● High collector-base voltage (Emitter open) VCBO 文件：43.33 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1611	文件：271.68 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= 2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：271.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1611	文件：252.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= 2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：252.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1611-251	文件：271.68 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= 2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：271.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1611-252	文件：252.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= 2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：252.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1614	文件：51.38 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High DC Current Gain:hFE 135 to 600. ● Low VCE(sat) ● Complementary to 2SB1114 文件：51.38 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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晶体管资料

型号：
2SD1614
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD2873,2SC3443,2SD1119,2SD1367,2SD1620,2SD1766,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
40
htest：
200000000
atest：
2
wtest：
0

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
20
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
2
VCE(sat) (V) max.：
0.5
hFE min.：
135
hFE max.：
600
Pc (W)：
2
fT (GHz) typ.：
0.2
fT (MHz) typ.：
200
Cob (pF) typ.：
28
Package Type：
3pinPoMM_E_
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SD1614	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-89	120000	原装正品可含税交易	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SD1614	NEC	24+	SOT-89	58200	新进库存/原装	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	2SD1614	CJ	25+	SOT89	520	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	2SD1614	NEC	24+		4231	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市弘为电子有限公司	2SD1614	NEC	24+	原厂封装	52000	原装现货假一罚十	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	2SD1614	NEC	25+	SOT89	2987	只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电	询价
深圳市振宏微科技有限公司	2SD1614	SMD	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳诚思涵科技有限公司	2SD1614	原装NEC	19+	SOT-89	20000		询价
深圳市亿智腾科技有限公司	2SD1614	NEC	24+		6540	原装现货/欢迎来电咨询	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	2SD1614	原装NEC	24+	SOT-89	63200	一级代理/放心采购	询价

更多2SD16供应商更新时间2026-2-4 14:00:00

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