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2SD1606	文件：150.2 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier 文件：150.2 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1606	文件：35.45 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier 文件：35.45 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1608	文件：244.12 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 120V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 4A • High Speed Switching APPLICATIONS • Designed for medium speed power switching applications. 文件：244.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1608	文件：43.98 Kbytes Page：1 Pages	Medium Speed Power Switching Si NPN Triple Diffused Planar Darlington Medium Speed Power Switching Complementary Pair with 2SB1108 Features • High hFE • High speed switching • Full Pack package for simplified mounting only by a screw, requires no insulator. 文件：43.98 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1609	文件：32.509 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SB1109 and 2SB1110 文件：32.509 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1610	文件：32.509 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SB1109 and 2SB1110 文件：32.509 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1611	文件：64.2 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) Silicon NPN triple diffusion planar type darlington For power amplification ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • High collector-base voltage (Emitter open) VCBO • N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printed circuit board, etc. of small electr 文件：64.2 Kbytes 页数：2 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD1611	文件：271.68 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= 2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：271.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1611	文件：252.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= 2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：252.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1611	文件：43.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type Darlington Features ● High forward current transfer ratio hFE ● High collector-base voltage (Emitter open) VCBO 文件：43.33 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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产品属性

产品编号：
2SD1624T-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS NPN 50V 3A PCP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SD1624T-TD-E	ON(安森美)	24+	标准封装	9048	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
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更多2SD16供应商更新时间2025-10-13 23:00:00

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