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2SD1605	文件：250.17 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 1.5A • Complement to Type 2SB1105 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：250.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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晶体管资料

型号：
2SD1605
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDW53D,BDW63D,2SD830,2SD1147,2SD1194,2SD1276A,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-44
vtest：
120
htest：
999900
atest：
3
wtest：
30

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更多2SD1605供应商更新时间2025-12-24 10:21:00

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