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2SD1623	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1623	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1623	文件：114.81 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1623	文件：56.51 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SB1123	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1623	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1623S-TD-E	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1623S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SD1623T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
2SD1623
功能描述：
两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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