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2SD1623	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SD1623	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SD1623	文件：114.81 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SD1623	文件：56.51 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SB1123	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SD1623	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SD1623S-TD-E	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SD1623S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SD1623S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SD1623T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SD1623T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SD1623_15	文件：1.18338 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SD1623-R	文件：1.18338 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
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2SD1623-T	文件：1.18338 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SD1623-U	文件：1.18338 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SD1623S-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 2A PCP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SD1623T-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 2A PCP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

晶体管资料

型号：
2SD1623
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_LO.SAT
封装形式：
特殊封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2873,2SC4357,2SC4409,2SD1005,2SD1119,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
60
htest：
150000000
atest：
2
wtest：
0

详细参数

型号：
2SD1623
功能描述：
两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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