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2SD1223	文件：170.92 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 3 A) • Complementary to 2SB908. 文件：170.92 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1223	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1223	文件：295.25 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1223	文件：276.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1223-251	文件：295.25 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1223-252	文件：276.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1224	文件：293.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 30V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 4000(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：293.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1224	文件：274.96 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 30V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 4000(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：274.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1224	文件：175.82 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (PULSE MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Pulse Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 4000 (min) (VCE = 2 V, IC = 150 mA) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA) 文件：175.82 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1224-251	文件：293.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 30V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 4000(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：293.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SD1286
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD842,2SD946,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
β=8000
图片代号：
B-45
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
10

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
60
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
8
IC (A) @25 °C：
1
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
2000
hFE max.：
30000
Pc (W)：
8
Package Type：
MP-3
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SD1286	NEC	25+	TO-252251	45000	NEC全新现货2SD1286即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SD1286	NEC	24+	TO-252	6450	新进库存/原装	询价
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深圳市旺财半导体有限公司	2SD1286		23+	TO	20000	正品原装货价格低	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	2SD1286	NEC	25+	I-PAK	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价

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