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2SD129-BL

SILICON NPN DIFFUSED JUNCTION TRANSISTOR

文件:95.72 Kbytes 页数:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SD129-R

SILICON NPN DIFFUSED JUNCTION TRANSISTOR

文件:95.72 Kbytes 页数:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SD129-Y

SILICON NPN DIFFUSED JUNCTION TRANSISTOR

文件:95.72 Kbytes 页数:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SD1205

Silicon NPN epitaxial planer type darlington(For low-frequency amplification)

Panasonic

松下

2SD1205A

Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires

Panasonic

松下

2SD1207

NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors Large-Current Switching Applications

ONSEMI

安森美半导体

2SD1207S-AE

Package:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线);包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 50V 2A 3MP

ONSEMI

安森美半导体

2SD1207T

Package:TO-226-3,TO-92-3 长体;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 50V 2A 3MP

ONSEMI

安森美半导体

2SD1207T-AE

Package:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线);包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 50V 2A TO92

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • NPN/PNP:

    NPN

  • Vcbo (V):

    60

  • VCEO (V):

    60

  • Vebo (V):

    8

  • IC (A) @25 °C:

    1

  • VCE(sat) (V) max.:

    1.5

  • hFE min.:

    2000

  • hFE max.:

    30000

  • Pc (W):

    8

  • Package Type:

    MP-3Z

  • Production Status:

    EOL

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更多2SD12供应商 更新时间2026-2-9 14:02:00