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2SD1207S-AE	文件：97.06 Kbytes Page：5 Pages	Large-Current Switching Applications Features • FBET and MBIT processed • Low saturation voltage • Large current capacity and wide SOA Applications • Power supplies, relay drivers, lamp drivers, and automotive wiring 文件：97.06 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1208	文件：126.74 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • High DC current gain • Darlington APPLICATIONS • Power regulator for line operated TV 文件：126.74 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1208	文件：107.05 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • High DC current gain • Darlington APPLICATIONS • Power regulator for line operated TV 文件：107.05 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1209	文件：31.1 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SA1193(K) 文件：31.1 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1209	文件：156.99 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SA1193(K) 文件：156.99 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1209K	文件：156.99 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SA1193(K) 文件：156.99 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1209K	文件：31.1 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SA1193(K) 文件：31.1 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1209KTZ-E	文件：156.99 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SA1193(K) 文件：156.99 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1210	文件：41.09 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：41.09 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1210	文件：242.83 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min.)@ IC= 10A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : V CEO(SUS) = 100V(Min) APPLICATIONS ·Designed for audio frequency power amplifier and low speed high current switching industrial use. 文件：242.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SD1286
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD842,2SD946,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
β=8000
图片代号：
B-45
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
10

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
60
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
8
IC (A) @25 °C：
1
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
2000
hFE max.：
30000
Pc (W)：
8
Package Type：
MP-3
Production Status：
EOL

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中天科工半导体（深圳）有限公司	2SD1286	NEC	25+	TO-252251	45000	NEC全新现货2SD1286即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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