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2SD1221	文件：148.74 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION) Audio Frequency Power Amplifier Application • Low collector saturation voltage : VCE (sat) = 0.4 V (typ.) (IC = 3 A, IB = 0.3 A) • High power dissipation: PC = 20 W (Tc = 25°C) • Complementary to 2SB906 文件：148.74 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1221	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1221-251	文件：295.18 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1221-252	文件：276.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1222	文件：275.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：275.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1222	文件：294.51 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1222	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1222	文件：172.42 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 2 A) • Complementary to 2SB907. 文件：172.42 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1222-251	文件：294.51 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1222-252	文件：275.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：275.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
60
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
8
IC (A) @25 °C：
1
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
2000
hFE max.：
30000
Pc (W)：
8
Package Type：
MP-3Z
Production Status：
EOL

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