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2SD1222	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1222	文件：275.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：275.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1222	文件：294.51 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1222	文件：172.42 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 2 A) • Complementary to 2SB907. 文件：172.42 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1222	文件：162.29 Kbytes Page：5 Pages	Switching Applications 文件：162.29 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1222	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for low frequency applications Feature：Darlington\nApplication Scope：Switching / Power amplifier\nPolarity：NPN\nComplementary Product：2SB907\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Collector Current IC 3 A \nCollector power dissipation PC 15 W \nCollector power dissipation PC 1 W \nCollector-emitter voltage VCEO 40 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SD1222-251	文件：294.51 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1222-252	文件：275.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：275.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1222_10	文件：162.29 Kbytes Page：5 Pages	Switching Applications 文件：162.29 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SD1222
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1520,2SD1749,2SD1817,2SD1955,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
β=5000
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
3
wtest：
15

详细参数

型号：
2SD1222
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TRANSISTOR SC-6460V 3A 1W BCE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1222供应商更新时间2026-4-17 14:01:00

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