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2SD1257	文件：62.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching) For power switching Complementary to 2SB934 ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE ● Large collector current IC ● N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printe 文件：62.12 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1257	文件：296.85 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 3A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：296.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1257	文件：277.79 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 3A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：277.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1257	文件：41.98 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. • Large collector current IC. 文件：41.98 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1257-251	文件：296.85 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 3A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：296.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1257-252	文件：277.79 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 3A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：277.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1257A	文件：62.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching) For power switching Complementary to 2SB934 ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE ● Large collector current IC ● N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printe 文件：62.12 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1257A	文件：41.98 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. • Large collector current IC. 文件：41.98 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1257_15	文件：885.51 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：885.51 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1257A_15	文件：1.30161 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：1.30161 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
2SD1257
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
130V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-62
vtest：
130
htest：
30000000
atest：
7
wtest：
40

详细参数

型号：
2SD1257
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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